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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0070512 (2011-03-24) |
등록번호 | US-8377799 (2013-02-19) |
우선권정보 | JP-2010-084278 (2010-03-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 3 |
An object of the present invention is to provide an SOI substrate including a semiconductor layer which is efficiently planarized. A method for manufacturing an SOI substrate includes a step of irradiating a bond substrate with an accelerated ion to form an embrittlement region; a step of bonding th
1. A manufacturing method comprising the steps of: disposing a semiconductor layer in front of a semiconductor target; andirradiating the layer with a rare gas ion so as to planarize the layer,wherein the layer and the target are alternately irradiated with the rare gas ion. 2. The manufacturing met
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