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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0237126 (2011-09-20) |
등록번호 | US-8377819 (2013-02-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 14 |
The present disclosure includes various methods of contact embodiments. One such method embodiment includes forming a trench in an insulator stack material of a particular thickness. This method includes forming a filler material in the trench and removing the filler material to a particular depth t
1. A method of contact formation, comprising: forming a trench in an insulator stack material of a particular thickness;forming a filler material in the trench and removing the filler material to a particular depth that is less than the particular thickness of the insulator stack material;forming a
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