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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0564961 (2009-09-23) |
등록번호 | US-8383491 (2013-02-26) |
우선권정보 | JP-2008-251335 (2008-09-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 18 |
A step of forming an insulating film over a semiconductor substrate and forming an embrittled region in the semiconductor substrate by irradiating the semiconductor substrate with accelerated ions through the insulating film; a step of disposing a surface of the semiconductor substrate and a surface
1. A method for manufacturing an SOI substrate, comprising: forming an insulating film over a semiconductor substrate;irradiating the semiconductor substrate with accelerated ions through the insulating film to form an embrittled region in the semiconductor substrate;disposing a surface of the semic
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