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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0459333 (2012-04-30) |
등록번호 | US-8401049 (2013-03-19) |
우선권정보 | JP-2004-173890 (2004-06-11); JP-2004-359671 (2004-12-13); JP-2005-088188 (2005-03-25); JP-2005-101765 (2005-03-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 8 |
A surface-emission laser diode includes a GaAs substrate, a cavity region, and upper and lower reflectors provided at a top part and a bottom part of the cavity region, the upper reflector and/or the lower reflector including a semiconductor Bragg reflector, at least a part of the semiconductor dist
1. A surface-emission laser diode, comprising: a GaAs substrate;a cavity region formed over said GaAs substrate, said cavity region including at least one quantum well active layer producing a laser light and harrier layers; andan upper reflector and a lower reflector provided at a top part and a bo
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