최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0949268 (2010-11-18) |
등록번호 | US-8404569 (2013-03-26) |
우선권정보 | JP-2005-379917 (2005-12-28); JP-2006-218475 (2006-08-10) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 31 |
A fabrication method of a group III nitride crystal substance includes the steps of cleaning the interior of a reaction chamber by introducing HCl gas into the reaction chamber, and vapor deposition of a group III nitride crystal substance in the cleaned reaction chamber. A fabrication apparatus of
1. A fabrication method of a group III nitride crystal substance, the method comprising steps of: cleaning an interior of a reaction chamber by introducing HCl gas into said reaction chamber, andvapor deposition of a group III nitride crystal substance having Si atoms doped in said cleaned reaction
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.