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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0035518 (2008-02-22) |
등록번호 | US-8404577 (2013-03-26) |
우선권정보 | DE-10 2007 035 837 (2007-07-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 17 |
A manufacturing process of a semiconductor device includes generating a less random grain orientation distribution in metal features of a semiconductor device by employing a grain orientation layer. The less random grain orientation, e.g., a grain orientation distribution which has a higher percenta
1. A method, comprising: providing a substrate having a metallization layer with at least one metal feature, wherein said substrate comprises a dielectric material layer having a recess and providing a substrate having a metallization layer comprises depositing a metal feature material in said reces
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