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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0987232 (2011-01-10) |
등록번호 | US-8405150 (2013-03-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 30 |
A silicon-on-insulator wafer. The SOI wafer comprises a top silicon layer, a silicon substrate, and an oxide insulator layer disposed across the wafer and between the silicon substrate and the top silicon layer. The oxide insulator layer has at least one of a contoured top surface and a contoured bo
1. A silicon-on-insulator wafer comprising: a top silicon layer;a silicon substrate; andan oxide insulator layer disposed across the wafer and between the silicon substrate and the top silicon layer, the oxide insulator layer having a defect-free contoured top surface across the entire wafer and a s
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