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특허 상세정보

Method of producing a sputter target material

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) B22F-001/00   
미국특허분류(USC) 419/032; 204/298.13; 204/298.12; 419/019; 419/028; 419/030; 419/033; 419/048
출원번호 US-0479121 (2009-06-05)
등록번호 US-8409498 (2013-04-02)
우선권정보 JP-2004-102899 (2004-03-31); JP-2004-121955 (2004-04-16)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Sughrue Mion, PLLC
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 0
초록

A sputter target material which is of a sintered material, wherein the sputter target material consists of 0.5 to 50 atomic % in total of at least one metal element (M) selected from the group of Ti, Zr, V, Nb and Cr, and the balance of Mo and unavoidable impurities, and has a microstructure seen at a perpendicular cross section to a sputtering surface, in which microstructure oxide particles exist near a boundary of each island of the metal element (M), and wherein the maximum area of the island, which is defined by connecting the oxide particles with l...

대표
청구항

1. A method of producing a sputter target material, which comprises the steps of: blending raw powders of Mo and at least one metal element (M) selected from the group consisting of Ti, Zr, V, Nb and Cr;compressing the blended raw powders by a cold isostatic pressing method to form a green compact of the blended raw powder;pulverizing the green compact of blended raw powder to produce a secondary powder having an average particle size of not more than 5.0 mm;filling the secondary powder into a pressurizing container; andsintering the secondary powder as ...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 1

  1. Yumshtyk, Gennady. Advanced gun barrel. USP2017019546837.