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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0474425 (2012-05-17) |
등록번호 | US-8409976 (2013-04-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 69 |
Photovoltaic modules comprise solar cells having doped domains of opposite polarities along the rear side of the cells. The doped domains can be located within openings through a dielectric passivation layer. In some embodiments, the solar cells are formed from thin silicon foils. Doped domains can
1. A method for forming a doped semiconductor structure, the method comprising: printing a dopant ink in a pattern onto a first surface of a semiconductor sheet comprising silicon, wherein the dopant ink comprises doped silicon nanoparticles having an average primary particle diameter of no more tha
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