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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0178710 (2011-07-08) |
등록번호 | US-8415080 (2013-04-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A method in which a resist layer is applied to a base layer is disclosed. The resist layer includes an adhesive material, and the adhesive force of the adhesive material decreases or increases during an irradiation process. Residues of the resist layer may be stripped using the disclosed method.
1. A resist layer structure comprising: a solid material suitable for a selective development and exposure for fabricating an integrated circuit arrangement; and a resist layer that is an adhesive or having an adhesive layer, which comprises a base polymer, a photo-polymerizable compound, and a phot
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