최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0512800 (2006-08-29) |
등록번호 | US-8430960 (2013-04-30) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 30 |
Parasitic deposits are controlled in a deposition system for depositing a film on a substrate, the deposition system of the type defining a reaction chamber for receiving the substrate and including a process gas in the reaction chamber and an interior surface contiguous with the reaction chamber. S
1. A deposition system for depositing a film on a substrate, the deposition system comprising: a) a reaction chamber arranged and configured to receive the substrate and the process gas;b) an interior surface contiguous with the reaction chamber;c) a process gas supply system to supply a flow of the
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.