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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0790070 (2010-05-28) |
등록번호 | US-8451571 (2013-05-28) |
우선권정보 | JP-2009-144598 (2009-06-17); JP-2010-023387 (2010-02-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 1 |
Provided is a power supply integrated circuit including an overheat protection circuit with high detection accuracy. The overheat protection circuit includes: a current generation circuit including: a first metal oxide semiconductor (MOS) transistor including a gate terminal and a drain terminal tha
1. An overheat protection circuit for detecting an increase in temperature to protect a circuit from overheating, comprising: a p-n junction element for outputting a forward voltage that is proportional to temperature;a reference voltage circuit that comprises transistors, each transistor operating
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