최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0839203 (2010-07-19) |
등록번호 | US-8461017 (2013-06-11) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 10 |
Methods of fabricating semiconductor structures include implanting atom species into a carrier die or wafer to form a weakened region within the carrier die or wafer, and bonding the carrier die or wafer to a semiconductor structure. The semiconductor structure may be processed while using the carri
1. A method of fabricating a semiconductor structure, comprising: forming a first semiconductor structure including at least a portion of an integrated circuit on a first substrate;implanting ions into a carrier wafer to form a weakened region within the carrier wafer;directly bonding the carrier wa
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.