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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0004338 (2011-01-11) |
등록번호 | US-8471310 (2013-06-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 9 |
Image sensor arrays may include image sensor pixels each having at least one back-gate-modulated vertical transistor. The back-gate-modulated vertical transistor may be used as a source follower amplifier. An image sensor pixel need not include an address transistor. The image sensor pixel with the
1. An image sensor pixel circuit, comprising: a photosensitive element; anda transistor having a drain region, a source region, and a body region, wherein the body region serves as a floating diffusion region for the image sensor pixel circuit, wherein the source and drain regions have a first dopin
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