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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0904119 (2010-10-13) |
등록번호 | US-8476145 (2013-07-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 318 |
A method to fabricate a semiconductor device, including the sequence of: implanting one or more regions on a semiconductor wafer forming a doped layer; performing a first transfer of the doped layer onto a carrier; and then performing a second transfer of the doped layer from the carrier to a target
1. A method to fabricate a semiconductor device, comprising the sequence of: implanting one or more regions on a semiconductor wafer forming a doped layer;performing a first transfer of said doped layer onto a carrier; and then performing a second transfer of said doped layer from said carrier to a
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