$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"

특허 상세정보

Semiconductor drive device

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H03B-001/00    H03K-003/00   
미국특허분류(USC) 327/109; 327/108; 327/110; 327/434
출원번호 US-0148431 (2010-07-28)
등록번호 US-8487668 (2013-07-16)
우선권정보 JP-2009-196954 (2009-08-27)
국제출원번호 PCT/JP2010/062697 (2010-07-28)
§371/§102 date 20111004 (20111004)
국제공개번호 WO2011/024591 (2011-03-03)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Rossi, Kimms & McDowell LLP
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 2
초록

When there is a short circuit failure between the gate and emitter of a main switching element such as an IGBT, the temperature of a turn-on gate resistor or turn-off gate resistor is detected by a thermistor, and a drive circuit is protected by turning off a turn-on gate drive switching element or a turn-off gate drive switching element. Furthermore, instead of detecting the temperature of the turn-on gate resistor or turn-off gate resistor, a thermistor is connected in series with the turn-on gate drive switching element or turn-off gate drive switchin...

대표
청구항

1. A semiconductor drive device characterized by including: a turn-on drive circuit including a forward biasing power source, a first switching element, and a turn-on gate resistor for turning on a semiconductor element; and a turn-off drive circuit including a reverse biasing power source, a second switching element, and a turn-off gate resistor for turning off the semiconductor element, wherein the forward biasing power source and reverse biasing power source are connected in series, a first series circuit of a first thermistor thermally joined to the ...