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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0548931 (2012-07-13) |
등록번호 | US-8492185 (2013-07-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 53 |
A method for fabricating large-area nonpolar or semipolar GaN wafers with high quality, low stacking fault density, and relatively low dislocation density is described. The wafers are useful as seed crystals for subsequent bulk growth or as substrates for LEDs and laser diodes.
1. A method for fabricating a gallium and nitrogen containing substrate comprising: providing a gallium and arsenic containing substrate having a major surface region of a predetermined area;forming a plurality of recessed regions within a thickness of the substrate, each of the plurality of recesse
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