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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0055829 (2009-07-29) |
등록번호 | US-8497187 (2013-07-30) |
우선권정보 | JP-2008-219981 (2008-08-28) |
국제출원번호 | PCT/JP2009/003573 (2009-07-29) |
§371/§102 date | 20110125 (20110125) |
국제공개번호 | WO2010/023816 (2010-03-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
According to the present invention, there is provided a method for manufacturing an SOI wafer, the method configured to grow an epitaxial layer on an SOI layer of the SOI wafer having the SOI layer on a BOX layer to increase a thickness of the SOI layer, wherein epitaxial growth is carried out by us
1. A method for manufacturing an SOI wafer, the method comprising: growing an epitaxial layer on an SOI layer of the SOI wafer to increase a thickness of the SOI layer,wherein the SOI layer is on a BOX layer;epitaxial growth is carried out by using an SOI wafer whose infrared reflectance in an infra
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