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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0484824 (2012-05-31) |
등록번호 | US-8513112 (2013-08-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 35 |
A method for forming conductive contacts and interconnects in a semiconductor structure, and the resulting conductive components are provided. In particular, the method is used to fabricate single or dual damascene copper contacts and interconnects in integrated circuits such as memory devices and m
1. A method of forming a contact in an opening in an insulative material, comprising: forming a non-metal barrier material over the insulative material within the opening;depositing a conductive material over the non-metal barrier material to fill the opening; andreflowing the conductive material in
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