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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0544306 (2004-01-27) |
등록번호 | US-8524573 (2013-09-03) |
우선권정보 | DE-103 03 977 (2003-01-31) |
국제출원번호 | PCT/DE2004/000123 (2004-01-27) |
§371/§102 date | 20060530 (20060530) |
국제공개번호 | WO2004/068572 (2004-08-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 30 |
A method for producing a semiconductor component, in which a semiconductor layer is separated from a substrate by irradiation with laser pulses, the pulse duration of the laser pulses being less than or equal to 10 ns. The laser pulses have a spatial beam profile with a flank slope is chosen to be g
1. A method for producing a semiconductor component, in which a semiconductor layer is separated from a substrate by irradiation with laser pulses, a pulse duration of the laser pulses being less than or equal to 10 ns, wherein the laser pulses have a spatial Gaussian beam profile with a flank slope
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