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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0013799 (2008-01-14) |
등록번호 | US-8525123 (2013-09-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 9 |
An ultra low-k dielectric material layer is formed on a semiconductor substrate. In one embodiment, a grid of wires is placed at a distance above a top surface of the ultra low-k dielectric material layer and is electrically biased such that the total electron emission coefficient becomes 1.0 at the
1. An electron beam curing apparatus comprising: an enclosure for holding a vacuum environment therein;an electron flood gun for emitting a flood electron beam located in said enclosure; anda set of a chuck and a grid of wires separated by a portion of said vacuum environment that includes a path of
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