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High-nitrogen content metal resistor and method of forming same

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/20
출원번호 US-0155801 (2011-06-08)
등록번호 US-8530320 (2013-09-10)
발명자 / 주소
  • Yang, Chih-Chao
  • Edelstein, Daniel C.
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corporation
대리인 / 주소
    Scully, Scott, Murphy & Presser, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 8

초록

A thin film metal resistor is provided that includes an in-situ formed metal nitride layer that is formed in a lower region of a deposited metal nitride layer. The in-situ formed metal nitride layer, together with the overlying deposited metal nitride layer, from a thin film metal resistor which has

대표청구항

1. A method of forming a metal resistor comprising: forming a nitrogen enriched dielectric surface layer within an upper region of a dielectric material layer; andforming a metal nitride layer on an upper surface of the nitrogen enriched dielectric surface layer, wherein during and/or after said for

이 특허에 인용된 특허 (8)

  1. Yang, Chih-Chao; Edelstein, Daniel C.; Molis, Steven E., Enhanced diffusion barrier for interconnect structures.
  2. Narwankar, Pravin; Sahin, Turgut, Method and apparatus for integrating a metal nitride film in a semiconductor device.
  3. Pravin Narwankar ; Turgut Sahin, Method and apparatus for integrating a metal nitride film in a semiconductor device.
  4. Alers Glenn B., Method for making field effect devices and capacitors with improved thin film dielectrics and resulting devices.
  5. Dunn Gregory J. ; Savic Jovica ; Beuhler Allyson, Method for manufacturing an integral thin-film metal resistor.
  6. Lee Jia-Sheng,TWX, Method for manufacturing thin-film resistor.
  7. Segawa Mizuki,JPX ; Yabu Toshiki,JPX ; Matsuzawa Akira,JPX, Method of manufacturing semiconductor device having resistor film.
  8. Morris Frank J. (Plano TX), Thin film resistor and method for manufacturing the same.

이 특허를 인용한 특허 (10)

  1. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Advanced through substrate via metallization in three dimensional semiconductor integration.
  2. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Formation of liner and metal conductor.
  3. Ferrer, Domingo A.; Kohli, Kriteshwar K.; Krishnan, Siddarth A.; Shepard, Jr., Joseph F.; Wong, Keith Kwong Hon, Modified tungsten silicon.
  4. Edelstein, Daniel C.; Yang, Chih-Chao, Simultaneous formation of liner and metal conductor.
  5. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Simultaneous formation of liner and metal conductor.
  6. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Simultaneous formation of liner and metal conductor.
  7. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Simultaneous formation of liner and metal conductor.
  8. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Simultaneous formation of liner and metal conductor.
  9. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Simultaneous formation of liner and metal conductor.
  10. Yang, Chih-Chao, Thin film metallic resistors formed by surface treatment of insulating layer.
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