최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0410649 (2009-03-25) |
등록번호 | US-8530332 (2013-09-10) |
우선권정보 | JP-2008-079592 (2008-03-26) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 32 |
An object is to provide an SOI substrate with excellent characteristics even in the case where a single crystal semiconductor substrate having crystal defects is used. Another object is to provide a semiconductor device using such an SOI substrate. A single crystal semiconductor layer is formed by a
1. A method for manufacturing an SOI substrate comprising the steps of: forming a single crystal semiconductor layer by an epitaxial growth method over a surface of a single crystal semiconductor substrate;performing first thermal oxidation treatment on the single crystal semiconductor layer to form
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.