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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0239189 (2011-09-21) |
등록번호 | US-8531026 (2013-09-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 77 |
Thermally regulated semiconductor devices having reduced thermally induced defects are provided, including associated methods. Such a device can include a heat spreader having a monolayer of diamond particles within a thin metal matrix and a semiconductor material thermally coupled to the heat sprea
1. A thermally regulated semiconductor device having reduced thermally induced defects, comprising: a heat spreader including a plurality of monolayers of diamond particles within a thin metal matrix; wherein the heat spreader includes multiple distinct diamond monolayers that are not in direct cont
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