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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0783354 (2010-05-19) |
등록번호 | US-8536022 (2013-09-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 8 |
A method according to embodiments of the invention includes providing an epitaxial structure comprising a donor layer and a strained layer. The epitaxial structure is treated to cause the strained layer to relax. Relaxation of the strained layer causes an in-plane lattice constant of the donor layer
1. A method comprising: providing an epitaxial structure comprising: a donor layer; anda strained layer;treating the epitaxial structure to cause the strained layer to relax, wherein relaxation of the strained layer causes an in-plane lattice constant of the donor layer to change such that the donor
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