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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0046560 (2011-03-11) |
등록번호 | US-8536636 (2013-09-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 304 |
An RF switch to controllably withstand an applied RF voltage Vsw, or a method of fabricating such a switch, which includes a string of series-connected constituent FETs with a node of the string between each pair of adjacent FETs. The method includes controlling capacitances between different nodes
1. A method of fabricating a stacked RF switch that includes a multiplicity of series connected constituent transistors in a series string for which internal nodes are those between each pair of adjacent transistors, the method comprising: coupling a discrete capacitive feature to one or more intern
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