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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0963659 (2010-12-09) |
등록번호 | US-8541819 (2013-09-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 86 인용 특허 : 318 |
A semiconductor device including: a first mono-crystal layer and a second mono-crystal layer and at least one conductive layer in-between; where the at least one conductive layer includes a first conductive layer overlaying a second conductive layer overlying a third conductive layer, and where the
1. A semiconductor device comprising: a first mono-crystal layer and a second mono-crystal layer and at least one conductive layer in-between; whereinsaid at least one conductive layer comprises a first conductive layer overlaying a second conductive layer overlying a third conductive layer, and whe
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