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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0894098 (2010-09-29) |
등록번호 | US-8558212 (2013-10-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 90 |
A non-volatile memory device structure. The device structure includes a first electrode, a second electrode, a resistive switching material comprising an amorphous silicon material overlying the first electrode, and a thickness of dielectric material having a thickness ranging from 5 nm to 10 nm dis
1. A non-volatile memory device comprising: a first electrode;a second electrode comprising a metal material;a resistive switching material comprising an amorphous silicon material overlying the first electrode; anda dielectric material formed between the second electrode and the resistive switching
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