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특허 상세정보

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Microwave plasma processing apparatus, dielectric window for use in the microwave plasma processing apparatus, and method for manufacturing the dielectric window

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C23C-016/00    C23F-001/00    H01L-021/306    B05D-005/06    B05D-003/02   
미국특허분류(USC) 118/723MW; 156/345.41; 427/162; 427/376.2
출원번호 US-0393724 (2009-02-26)
등록번호 US-8573151 (2013-11-05)
우선권정보 JP-2008-048063 (2008-02-28)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Cantor Colburn LLP
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 5
초록
▼

A conventional microwave plasma processing apparatus, even when krypton (Kr) is used as a plasma-generation gas, can only obtain an oxide film or a nitride film having the same level of characteristics as those obtained when a rare gas such as argon (Ar) is used as a plasma-generation gas. Accordingly, instead of forming a dielectric window of a microwave plasma processing apparatus with only a ceramic member, a planarization film capable of obtaining a stoichiometric SiO2 composition by thermal treatment is coated on one of a plurality of surfaces of th...

대표
청구항
▼

1. A microwave plasma processing apparatus comprising: a process chamber defining a process space in which an object can be plasma-processed; a gas supply unit for supplying a predetermined gas into the process chamber;an antenna for supplying microwaves into the process chamber; anda dielectric window which maintains the process chamber to be airtight and propagates the microwaves supplied through the antenna,wherein:the dielectric window comprises a ceramic member of which surface has irregularities, the irregularities being represented as a peak-to-va...

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Prochazka Svante (Ballston Lake NY). Amorphous silicon oxycarbide coated silicon carbide or carbon fibers. USP1997025599624.
  2. Yamamoto Seigo,JPX ; Itayama Katsuhiro,JPX ; Ikeda Kouki,JPX ; Hisamoto Jun,JPX ; Onishi Takashi,JPX. Coating film excellent in resistance to halogen-containing gas corrosion and halogen-containing plasma corrosion, laminated structure coated with the same, and method for producing the same. USP2000026027792.
  3. Mabuchi Hiroshi (Amagasaki JPX) Yoshiki Takahiro (Amagasaki JPX) Komachi Kyoichi (Kobe JPX) Miyamura Tadashi (Amagasaki JPX). Plasma processing apparatus. USP1997075645644.
  4. Kazutaka Kamitani JP; Toyoyuki Teranishi JP; Kazuhiro Doushita JP; Takashi Sunada JP; Hiroaki Kobayashi JP; Hiroaki Yamamoto JP; Hisashi Ogawa JP. Process for the production of articles covered with silica-base coats. USP2002106465108.
  5. Gorczyca, Thomas Bert; Lazzeri, Margaret Ellen; Ahlgren, Frederic Francis. Semiconductor processing component. USP2004036709608.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 1

  1. Anada, Kazuki; Yoshii, Yuichi. Electrostatic chuck. USP2018059960067.

IPC 상위 출원인