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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0769152 (2013-02-15) |
등록번호 | US-8599601 (2013-12-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 102 |
A memory device has a crossbar array including a first array of first electrodes extending along a first direction. A second array of second electrodes extends along a second direction. A non-crystalline silicon structure provided between the first electrode and the second electrode at an intersecti
1. A method for fabricating a resistive memory device, the method comprising: providing a substrate;forming a bottom electrode over the substrate;forming a switching medium over the bottom electrode, the switching medium defining a first region proximate to the bottom electrode and a second region d
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