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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0901882 (2013-05-24) |
등록번호 | US-8609514 (2013-12-17) |
우선권정보 | FR-97 16696 (1997-12-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 223 |
A process for transferring a thin film includes forming a layer of inclusions to create traps for gaseous compounds. The inclusions can be in the form of one or more implanted regions that function as confinement layers configured to trap implanted species. Further, the inclusions can be in the form
1. A process for forming a thin film from a substrate comprising the steps of: (a) forming a first film on a surface of the substrate by epitaxial deposition, the first film doped by boron to form a layer of inclusions extending parallel to the surface of the substrate, wherein the layer of inclusio
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