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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0605763 (2012-09-06) |
등록번호 | US-8623761 (2014-01-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 6 |
Interconnect structures including a graphene cap located on exposed surfaces of a copper structure are provided. In some embodiments, the graphene cap is located only atop the uppermost surface of the copper structure, while in other embodiments the graphene cap is located along vertical sidewalls a
1. A method of forming an interconnect structure comprising: providing a structure comprising at least one copper structure contained within at least one opening present in a dielectric material, said at least one copper structure having an uppermost surface that is coplanar with an uppermost surfac
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