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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0977999 (2010-12-23) |
등록번호 | US-8637383 (2014-01-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 31 |
Methods of fabricating semiconductor structures include forming a plurality of openings extending through a semiconductor material and at least partially through a metal material and deforming the metal material to relax a remaining portion of the semiconductor material. The metal material may be de
1. A method of fabricating a semiconductor structure, comprising: forming a metal material over at least one of a semiconductor material and a support material;bonding the semiconductor material to the support material, the metal material disposed between the semiconductor material and the support m
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