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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0547405 (2012-07-12) |
등록번호 | US-8647911 (2014-02-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 29 |
A solar cell includes abutting P-type and N-type doped regions in a contiguous portion of a polysilicon layer. The polysilicon layer may be formed on a thin dielectric layer, which is formed on a backside of a solar cell substrate (e.g., silicon wafer). The polysilicon layer has a relatively large a
1. A method of fabricating a solar cell, the method comprising: forming a polysilicon layer over a back surface of a silicon substrate;forming a first dopant source and a second dopant source over the polysilicon layer;locally heating the polysilicon layer to drive dopants from the first dopant sour
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