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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0903848 (2010-10-13) |
등록번호 | US-8649754 (2014-02-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 35 인용 특허 : 402 |
A monolithic integrated circuit (IC), and method of manufacturing same, that includes all RF front end or transceiver elements for a portable communication device, including a power amplifier (PA), a matching, coupling and filtering network, and an antenna switch to couple the conditioned PA signal
1. An integrated RF Power Amplifier (PA) circuit, comprising: a) an input node to accept an input signal with respect to a reference voltage Vref, coupled to a gate G1 of a first insulated-gate FET M1;b) a plurality of additional insulated-gate FETs M2 to Mn having a same polarity as M1 and coupled
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