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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0759820 (2010-04-14) |
등록번호 | US-8656860 (2014-02-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 69 |
The present disclosure presents a chemical vapor deposition reactor having improved chemical utilization and cost efficiency. The wafer susceptors of the present disclosure may be used in a stackable configuration for processing many wafers simultaneously. The reactors of the present disclosure may
1. A depletion mode reactor for depositing a chemical on a first surface of a plurality of wafers simultaneously according to a chemical vapor deposition process, said reactor comprising: a reversible first port positioned on a first side of a first surface of a wafer and providing the supply or exh
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