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Processing phase change material to improve programming speed 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/20
출원번호 US-0585936 (2012-08-15)
등록번호 US-8658510 (2014-02-25)
발명자 / 주소
  • Hudgens, Stephen J.
  • Lowrey, Tyler
출원인 / 주소
  • Intel Corporation
대리인 / 주소
    Trop, Pruner & Hu, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 15

초록 ▼

A phase change material may be processed to reduce its microcrystalline grain size and may also be processed to increase the crystallization or set programming speed of the material. For example, material doped with nitrogen to reduce grain size may be doped with titanium to reduce crystallization t

대표청구항 ▼

1. A method comprising: reducing grain size of a phase change material; andreducing the programming time of the phase change material by doping the phase change material with titanium. 2. The method of claim 1 wherein reducing the grain size of the phase change material includes doping the material

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Daniel Xu ; Tyler A. Lowrey ; David L. Kencke, Biasing scheme of floating unselected wordlines and bitlines of a diode-based memory array.
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  2. Young Rosa (Troy MI) Ovshinsky Stanford R. (Bloomfield Hills MI), Data storage medium incorporating a transition metal for increased switching speed.
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  3. Daniel Xu, Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same.
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  4. Lankhorst,Martijn Henri Richard; Widdershoven,Franciscus Petrus; Wolters,Robertus Adrianus Maria; Ketelaars,Wilhelmus Sebastianus Marcus Maria; Meinders,Erwin Rinaldo, Electric device with phase change material and method of manufacturing the same.
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  5. Rie Kojima JP; Noboru Yamada JP; Hideki Kitaura JP, Information recording medium, a method for manufacturing the same and a method for recording/reproducing information thereon.
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  6. Horii,Hideki, Integrated circuit memory devices having memory cells therein that utilize phase-change materials to support non-volatile data retention.
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  7. Wicker, Guy C., Lateral phase change memory and method therefor.
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  8. Dennison, Charles, Lower electrode isolation in a double-wide trench and method of making same.
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  9. Matsumoto,Kazuki; Hirao,Akiko; Hayase,Rumiko; Ichihara, deceased,Katsutaro, Method and equipment for storing holographic data.
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  10. Horie Michikazu (Yokohama JPX) Kunitomo Haruo (Yokohama JPX) Ohno Takashi (Yokohama JPX) Takada Kenichi (Yokohama JPX) Mizuno Hironobu (Yokohama JPX), Optical recording medium.
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  11. Ohno,Takashi; Horie,Michikazu, Phase-change recording material and information recording medium.
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  12. Horie,Michikazu; Ohno,Takashi, Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it.
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  13. Lee,Jung hyun; Park,Young soo; Lee,Won tae, Semiconductor memory device and method of fabricating the same.
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  14. Klersy Patrick J. (Madison Heights MI) Jablonski David C. (Waterford MI) Ovshinsky Stanford R. (Bloomfield Hills MI), Thin-film structure for chalcogenide electrical switching devices and process therefor.
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  15. Rudelic,John C., Tracking modifications to a memory.
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