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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0780454 (2013-02-28) |
등록번호 | US-8659110 (2014-02-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 33 |
A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer oppo
1. A single-junction photovoltaic cell, comprising: a doped layer comprising zinc diffused into a p-type semiconductor substrate;a metallic seed layer comprising titanium formed on the doped layer, the metallic seed layer configured to act as an etch stop layer during removal of a tensile-stressed m
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