최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0345935 (2012-01-09) |
등록번호 | US-8664737 (2014-03-04) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 89 |
A semiconductor template having a top surface aligned along a (100) crystallographic orientation plane and an inverted pyramidal cavity defined by a plurality of walls aligned along a (111) crystallographic orientation plane. A method for manufacturing a semiconductor template by selectively removin
1. A three-dimensional semiconductor template, comprising: a top surface aligned along a (100) crystallographic orientation plane of the semiconductor template;a plurality of walls each aligned along a (111) crystallographic orientation plane of the semiconductor template wherein said walls define a
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.