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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0454968 (2012-04-24) |
등록번호 | US-8664767 (2014-03-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 158 |
An integrated circuit structure includes a first conductive layer and an under bump metallization layer over the first conductive layer. The first conductive layer has a first conductive region and a second conductive region electrically isolated from the first conductive region. The under bump meta
1. An integrated circuit structure comprising: a first conductive layer disposed on a substrate and providing first electrodes and second electrodes for a distributed transistor in the substrate;a second conductive layer over the first conductive layer, the second conductive layer having a first con
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