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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0104864 (2011-05-10) |
등록번호 | US-8679359 (2014-03-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 10 |
The present invention is directed to a method and apparatus for etching various metals that may be used in semiconductor or integrated circuit processing through the use of non-halogen gases such as hydrogen, helium, or combinations of hydrogen and helium with other gases such as argon. In one exemp
1. A method of etching a metal layer disposed on a substrate in a reaction chamber, the method comprising: introducing a non-halogen gas stream into the reaction chamber, the non-halogen gas comprising hydrogen;igniting a non-halogen gas based plasma within the reaction chamber;maintaining the plasm
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