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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0904464 (2013-05-29) |
등록번호 | US-8679972 (2014-03-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 195 |
The present invention pertains to methods for forming a metal diffusion barrier on an integrated circuit wherein the formation includes at least two operations. The first operation deposits barrier material via PVD or CVD to provide some minimal coverage. The second operation deposits an additional
1. A method for depositing a metal-containing material on a substrate, the method comprising: (a) receiving a wafer substrate comprising at least one via comprising a bottom part and at least one trench, wherein the substrate comprises an exposed metal at the bottom part of the at least one via, and
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