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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0826912 (2013-03-14) |
등록번호 | US-8691610 (2014-04-08) |
우선권정보 | KR-10-2012-0104397 (2012-09-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 17 |
A method of manufacturing a semiconductor device including at least one of the following steps: (1) Forming a plurality of lower electrodes over a substrate. (2) Forming a first stop film over the lower electrodes. (3) Forming a filling layer over the first stop film. (4) Forming a second stop film
1. A method comprising: forming a plurality of lower electrodes over a substrate;forming a first stop film over the lower electrodes;forming a filling layer over the first stop film;forming a second stop film over the filling layer;forming a first interlayer insulating layer over the second stop fil
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