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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0529625 (2012-06-21) |
등록번호 | US-8692288 (2014-04-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 20 |
Semiconductor structures and methods of manufacture semiconductors are provided which relate to heterojunction bipolar transistors. The structure includes two devices connected by metal wires on a same wiring level. The metal wire of a first of the two devices is formed by selectively forming a meta
1. A structure comprising: an HBT comprising a collector, base and emitter; wiring structures in electrical connection with the collector, base and emitter; a copper layer deposited on the wiring structures; a selective metal deposited on the copper layer, wherein the selective metal is CoWP; a FET
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