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특허 상세정보

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Method of forming a silicon carbide material, and structures including the material

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C01B-031/36    C01B-035/00    G21C-007/00    G21C-003/32    G21C-003/34    B32B-009/00    B32B-019/00    C04B-035/52    C04B-035/56   
미국특허분류(USC) 423/346; 376/327; 376/333; 376/434; 376/439; 423/276; 428/698; 501/088; 501/092
출원번호 US-0642100 (2009-12-18)
등록번호 US-8697024 (2014-04-15)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    TraskBritt
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 12
초록
▼

A precursor formulation of a silicon carbide material that includes a ceramic material and a boron-11 compound. The ceramic material may include silicon and carbon and, optionally, oxygen, nitrogen, titanium, zirconium, aluminum, or mixtures thereof. The boron-11 compound may be a boron-11 isotope of boron oxide, boron hydride, boron hydroxide, boron carbide, boron nitride, boron trichloride, boron trifluoride, boron metal, or mixtures thereof. A material for use in a nuclear reactor component is also disclosed, as are such components, as well as a metho...

대표
청구항
▼

1. A method of producing a boron-11 silicon carbide material, comprising: vaporizing at least one of a liquid state of boron-11 oxide and a solid state of boron-11 oxide to form a gaseous state of boron-11 oxide; andconverting a ceramic material to the boron-11 silicon carbide material in the presence of a boron oxide consisting of the gaseous state of boron-11 oxide. 2. The method of claim 1, wherein converting a ceramic material to the boron-11 silicon carbide material in the presence of a boron oxide consisting of the gaseous state of boron-11 oxide c...

이 특허에 인용된 특허 (12)

  1. Barnard Thomas Duncan ; Nguyen Kimmai Thi ; Rabe James Alan. Continuous method of producing silicon carbide fibers. USP1999075928978.
  2. Ogihara, Satoru; Takeda, Yukio; Maeda, Kunihiro; Nakamura, Kousuke; Ura, Mitsuru. Electrically insulating silicon carbide sintered body. USP1985124561010.
  3. Baumann Robert C. (Dallas TX) Hossain Timothy Z. (Ithaca NY). Electronic device and process achieving a reduction in alpha particle emissions from boron-based compounds essentially f. USP1995035395783.
  4. Urasato Nobuaki (Niigata JPX) Takamizawa Minoru (Niigata JPX) Hayashida Akira (Niigata JPX) Ohsaki Hiromi (Niigata JPX) Maruta Jiyunitirow (Niigata JPX). Method for the preparation of a sintered body of silicon carbide. USP1991045011639.
  5. Sakai Mikio (Yokosuka JPX) Naka Masaru (Maizuru JPX). Method of producing silicon carbide base sintered material containing boron as sintering assistant. USP1987054663105.
  6. Blakely Keith A. (Buffalo NY) Shaffer Peter T. B. (Grand Island NY). Neutron-absorbing material and method of making same. USP1988054744922.
  7. Lipowitz Jonathan (Midland MI) Rabe James A. (Midland MI). Polycrystalline silicon carbide fibers. USP1994115366943.
  8. Sacks Michael D. ; Toreki William ; Batich Christopher D. ; Choi Guang J.,KRX. Preparation of boron-doped silicon carbide fibers. USP1998125851942.
  9. Deleeuw David C. (Midland MI) Lipowitz Jonathan (Midland MI) Lu Paul P. (Hacienda Heights CA). Preparation of substantially crystalline silicon carbide fibers from polycarbosilane. USP1991125071600.
  10. Barnard Thomas Duncan ; Lipowitz Jonathan ; Nguyen Kimmai Thi. Process to produce silicon carbide fibers using a controlled concentration of boron oxide vapor. USP2001076261509.
  11. Sacks Michael D.. Silicon carbide fibers with boron nitride coatings. USP2001036203904.
  12. Prochazka Svante (Ballston Lake NY). Sintered dense silicon carbide. USP1977014004934.

IPC 상위 출원인