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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0126993 (2009-10-14) |
등록번호 | US-8697544 (2014-04-15) |
우선권정보 | JP-2008-309524 (2008-12-04) |
국제출원번호 | PCT/JP2009/005346 (2009-10-14) |
§371/§102 date | 20110429 (20110429) |
국제공개번호 | WO2010/064355 (2010-06-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
The present invention is a method for manufacturing a bonded wafer including at least the steps of: forming an ion-implanted layer inside a bond wafer; bringing the ion-implanted surface of the bond wafer into close contact with a surface of a base wafer directly or through a silicon oxide film; and
1. A method for manufacturing a bonded wafer including at least the steps of: implanting at least one gas ion of a hydrogen ion and a rare gas ion into a silicon single crystal bond wafer from a surface thereof to form an ion-implanted layer inside the wafer;bringing the ion-implanted surface of the
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