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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0764492 (2007-06-18) |
등록번호 | US-8710510 (2014-04-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 151 |
An insulated gate bipolar transistor (IGBT) includes a substrate having a first conductivity type, a drift layer having a second conductivity type opposite the first conductivity type, and a well region in the drift layer and having the first conductivity type. An epitaxial channel adjustment layer
1. A transistor, comprising: a drift layer having a first conductivity type;a heavily doped well region in the drift layer and having a second conductivity type opposite the first conductivity type;an epitaxial channel adjustment layer on the drift layer and having the first conductivity type;an emi
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