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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0920312 (2009-01-28) |
등록번호 | US-8711893 (2014-04-29) |
우선권정보 | DE-10 2008 011 864 (2008-02-29); DE-10 2008 019 268 (2008-04-17) |
국제출원번호 | PCT/DE2009/000116 (2009-01-28) |
§371/§102 date | 20101105 (20101105) |
국제공개번호 | WO2009/106028 (2009-09-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 7 |
An optoelectronic component contains an epitaxial layer sequence based on a nitride compound semiconductor having an active layer and an epitaxial growth substrate comprising Al1-xGaxN, where 0x0.95. In a method for producing an optoelectronic component an epitaxial growth substrate of Al1-x(InyGa1-
1. An optoelectronic component comprising: an epitaxial layer based on a nitride compound semiconductor, the epitaxial layer sequence having an active layer;an epitaxial growth substrate of Al1-x(InyGa1-y)xN or In1-xGaxN, where 00.01 and x2>0.05 applies for the aluminum content. 2. The optoelectroni
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