최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0328030 (2011-12-16) |
등록번호 | US-8715597 (2014-05-06) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 13 |
Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop processes and systems is disclosed. The processes and systems generally involve disproportionation of trichlorosilane to produce silane or dichlorosilane and thermal decomposition of silane or dichlorosilane to produce polycrystallin
1. A system for producing polycrystalline silicon, the system being substantially closed-loop with respect to hydrogen and chlorine-containing compounds, the system comprising: a chlorination reactor in which hydrogen chloride is contacted with silicon to produce trichlorosilane and silicon tetrachl
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.