[특허]Thick film resists

AZ Electronic Materials USA Corp.

Thick film resists

국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G03F-007/039 G03F-007/20 G03F-007/30
출원번호	US-0860675 (2007-09-25)
등록번호	US-8715918 (2014-05-06)
발명자 / 주소	Toukhy, Medhat A. Paunescu, Margareta
출원인 / 주소	AZ Electronic Materials USA Corp.
대리인 / 주소	Kass, Alan P.
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 28

초록

Thick film photoresist compositions are disclosed.

대표청구항 ▼

1. A method for forming a photoresist relief image on a substrate comprising: (a) applying on a substrate a layer of the photoresist composition comprising a resin binder comprising an acid labile group where the resin binder is a reaction product formed in the absence of a catalyst between (i) a novolak polymer, (ii) a polymer comprising substituted or unsubstituted hydroxystyrene and acrylate, methacrylate or a mixture of acrylate and methacrylate, the acrylate and/or methacrylate being protected by an acid labile group that requires a high activation energy for deblocking, and (iii) a compound selected from a group consisting of vinyl ether and an unsubstituted or substituted heteroalicyclic, further where the components (i-iii) are reacted together at between 80° C. to 140° C., and (b) exposing the photoresist layer to activating radiation and developing the exposed photoresist layer wherein the layer is applied in a film of thickness in the range of 2 microns to 200 microns on a substrate and provide images with aspect ratios greater than 3. 2. The method of claim 1 wherein the photoresist composition further comprises a photoacid generator. 3. The method of claim 1 wherein the photoresist composition further comprises a base. 4. The method according to claim 1 wherein the vinyl ether has the formula where R50 is unsubstituted or substituted alkyl or unsubstituted or substituted cycloalkyl. 5. The method according to claim 1 wherein the unsubstituted or substituted heteroalicyclic is 3,4-dihydro-2H-pyran. 6. The method according to claim 1 where the substrate is selected from the group consisting of silicon, copper, aluminum, polymeric resins, silicon dioxide, metals, doped silicon oxide, silicon nitride, tantalum, polysilicon, ceramics, aluminum/copper mixtures, gallium arsenide and group III/V compounds. 7. The method according to claim 1 where the substrate is copper. 8. A method comprising the steps of: (a) reacting in the absence of a catalyst components (i), (ii) and (iii) at a reaction temperature in the range of 80-140° C., and (b) forming a mixture comprising the resultant product of step (a), a photoacid generator and a solvent, thereby forming a photoresist composition, wherein (i), (ii) and (iii) are (i) a novolak polymer, (ii) a polymer comprising substituted or unsubstituted hydroxystyrene and acrylate, methacrylate or a mixture of acrylate and methacrylate, the acrylate and/or methacrylate being protected by an acid labile group that requires a high activation energy for deblocking, and (iii) a compound selected from a group consisting of vinyl ether and an unsubstituted or substituted heteroalicyclic. 9. The method of claim 8 wherein the vinyl ether has the formula where R50 is unsubstituted or substituted alkyl or unsubstituted or substituted cycloalkyl. 10. The method of claim 8 wherein the unsubstituted or substituted heteroalicyclic is 3,4-dihydro-2H-pyran. 11. The method of claim 8 where the mixture further comprises a base. 12. The method according to claim 8 wherein the reaction product comprises an acid labile group that requires a high activation energy for deblocking.

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Malik, Sanjay; Dilocker, Stephanie J.; De, Binod B., Acetal protected polymers and photoresists compositions thereof.
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Hatakeyama, Jun, Chemically amplified positive resist composition.
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Takeda, Takanobu; Watanabe, Jun; Takemura, Katsuya; Koizumi, Kenji, Chemically amplified positive resist composition and patterning method.
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Watanabe Satoshi,JPX ; Watanabe Osamu,JPX ; Furihata Tomoyoshi,JPX ; Takeda Yoshihumi,JPX ; Nagura Shigehiro,JPX ; Ishihara Toshinobu,JPX ; Yamaoka Tsuguo,JPX, Chemically amplified positive resist composition, pattern forming method, and method for preparing polymer having a crosslinking group.
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Oomori, Katsumi; Kinoshita, Yohei; Yamada, Tomotaka; Takayama, Toshikazu, Crosslinked positive-working photoresist composition.
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Tsuchii, Ken; Kaneko, Mineo; Tsukuda, Keiichiro; Oikawa, Masaki; Yabe, Kenji; Tomizawa, Keiji, Ink jet recording head.
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Uenishi, Kazuya; Adegawa, Yutaka; Shirakawa, Koji, Negative-working resist composition.
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Yamato Hitoshi,JPX ; Bleier Hartmut,JPX ; Birbaum Jean-Luc,JPX ; Kunz Martin,DEX ; Dietliker Kurt,CHX ; De Leo Christoph,DEX ; Asakura Toshikage,JPX, Oxime sulfonates and the use thereof as latent sulfonic acids.
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Sinta Roger F. (Woburn MA) Pai Daniel Y. (Millbury MA) Adams Timothy G. (Sudbury MA), Photoresist composition with improved differential solubility through hydroxyl group blocking via reaction with vinyl et.
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Urano Fumiyoshi,JPX ; Fujie Hirotoshi,JPX ; Oono Keiji,JPX, Polymer and resist material.
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Mertesdorf Carl-Lorenz,DEX ; Schacht Hans-Thomas,DEX ; Muenzel Norbert,DEX ; Falcigno Pasquale Alfred,CHX, Polymers for photoresist compositions.
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Sato Mitsuru,JPX ; Nitta Kazuyuki,JPX ; Yamazaki Akiyoshi,JPX ; Iguchi Etsuko,JPX ; Sakai Yoshika,JPX ; Sato Kazufumi,JPX ; Nakayama Toshimasa,JPX, Positive resist composition comprising a mixture of two polyhydroxystyrenes having different acid cleavable groups and a.
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Okazaki Hiroshi,JPX ; Pawlowski Georg,JPX ; Funato Satoru,JPX ; Kinoshita Yoshiaki,JPX ; Yamaguchi Yuko,JPX, Process for preparing resists.
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Blakeney Andrew J. ; Malik Sanjay ; Toukhy Medhat A. ; Sizensky Joseph, Selected high thermal novolaks and positive-working radiation-sensitive compositions.
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Chou Yueting ; Feast Timothy Paul ; Zhang Jingen, Superabsorbing compositions and processes for preparing same.
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A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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